PERANCANGAN PERANGKAT KERAS ALAT UJI BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BERBASIS MIKROKONTROLER

*Dedy Bagus Perkasa -  Departemen Teknik Elektro Universitas Diponegoro
Trias Andromeda -  Departemen Teknik Elektro Universitas Diponegoro
Munawar A Riyadi -  Departemen Teknik Elektro Universitas Diponegoro
Dikirim: 7 Nov 2018; Diterbitkan: 22 Apr 2019.
Akses Terbuka Copyright (c) 2019 Transmisi

Citation Format:
Article Info
Bagian: Artikel Jurnal
Bahasa: ID
Teks Lengkap:
Statistik: 55 38
Sari
Transistor bipolar merupakan piranti elektronika yang banyak digunakan dalam teknologi elektronika. Salah satu penggunaan transistor adalah sebagai amplifier audio. Pada rangkaian digital transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Agar transistor bekerja dengan optimal, pemasangan transistor dalam rangkaian harus benar. Untuk itu, posisi kaki-kaki pin transistor dan nilai parameter yang ada pada transistor perlu diperhatikan. Alat bantu atau tester yang handal diperlukan untuk mengetahui letak pin pada transistor. Penelitian ini merancang suatu perangkat keras yang dapat digunakan untuk membaca jenis, letak kaki, nilai penguatan, dan tegangan maju transistor BJT (Bipolar Junction Transistor). Perangkat keras  ini dirancang menggunakan mikrokontroller dan resistor untuk analisis titik kerja transistor. Pengujian dilakukan dengan menguji beberapa transistor BJT dengan tipe yang berbeda-beda. Hasil pengujian menunjukkan bahwa perangkat telah dapat bekerja dengan baik.
Kata Kunci
Transistor; BJT; penguji pin; penguatan; tegangan maju

Article Metrics:

  1. Sedra, A.S. dan Smith, K.C., Microelectronic circuits. Edisi 7, New York: Oxford University Press. 2015.
  2. Thompson, S.E. dan Parthasarathy, S. “Moore's law: the future of Si microelectronics”, Materials today, 9(6), 2006, hal. 20-25.
  3. Reggiani, S., Barone, G., Poli, S., Gnani, E., Gnudi, A., Baccarani, G., Chuang, M.Y., Tian, W. and Wise, R., “TCAD simulation of hot-carrier and thermal degradation in STI-LDMOS transistors”. IEEE Transactions on Electron Devices, 60(2), 2013, hal. 691-698.
  4. Urakawa, S., Tomai, S., Ueoka, Y., Yamazaki, H., Kasami, M., Yano, K., Wang, D., Furuta, M., Horita, M., Ishikawa, Y. and Uraoka, Y.,”Thermal analysis of amorphous oxide thin-film transistor degraded by combination of joule heating and hot carrier effect.” Applied Physics Letters, 102(5), 2013 hal. 053506.
  5. Xing-Ji, L., Hong-Bin, G., Mu-Jie, L., De-Zhuang, Y., Shi-Yu, H. dan Chao-Ming, L., “Degradation mechanisms of current gain in NPN transistors.” Chinese Physics B, 19(6), 2010, hal. 066103.
  6. Drew, D., Newcomb, J.L., McGrath, W., Maksimovic, F., Mellis, D. dan Hartmann, B. “The toastboard: Ubiquitous instrumentation and automated checking of breadboarded circuits.” Proceedings of the 29th Annual Symposium on User Interface Software and Technology, 2016, hal. 677-686.
  7. Boylestad, Robert dan Nashelsky, Louis, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 2012.
  8. Sandy, Kiki Hery, “Realisasi Digital Transistor Tester Berbasis Mikrokontroler”, Tugas Akhir, Telkom University, 2010.
  9. Saptadi, A.H., Wahyudi, E. dan Simorangkir, C.A., “Aplikasi Perhitungan Pembiasan DC Pada Transistor Dwi Kutub NPN Dengan Visual Basic 6.0”. Jurnal Infotel, 2(1), 2010. hal.43-55..
  10. Rahmad, M.R.M., Azizahwati, A. dan Ernidawati, E., “Pengembangan Alat Eksperimen Untuk Praktikum Elektronika Dasar Pada Topik Transistor Bipolar.” SEMIRATA, 2(1). 2015, hal. 116-121
  11. McRoberts, Michael. Beginning Arduino. Apress, 2013.