PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD

*Ida Usman  -  Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Haluoleo, Kendari, Indonesia
Darwin Ismail  -  Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Haluoleo, Kendari, Indonesia
Heri Sutanto  -  Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Diponegoro Semarang, Indonesia
Toto Winata  -  Program Studi Fisika FMIPA, Institut Teknologi Bandung, Indonesia
Published: 2 May 2010.
Open Access

Citation Format:
Article Info
Section: Research Article
Language: EN
Full Text:
Statistics: 738 1394
Abstract

Telah dikembangkan teknik HWC-VHF-PECVD (Hot Wire Cell Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) untuk menumbuhkan lapisan tipis silikon mikrokristal terhidrogenasi (mc-Si:H). Dari hasil penumbuhan lapisan tipis yang dilakukan, teknik HWC-VHF-PECVD memperlihatkan laju deposisi yang lebih tinggi dibandingkan laju deposisi lapisan tipis yang diperoleh dari teknik PECVD maupun teknik VHF-PECVD konvensional. Berdasarkan hasil pengukuran XRD dan SEM, lapisan yang diperoleh pada temperatur filamen yang rendah masih berstruktur amorf. Indikasi yang mengarah pada pembentukan lapisan tipis berstruktur mikrokristalin mulai terlihat pada temperatur filamen ≥ 500oC, dimana puncak-puncak di fraksi spektrum XRD untuk orientasi kristalin tertentu mulai terbentu, sejalan dengan pembentukan butiran-butiran kristalin dari hasil foto SEM permukaan lapisan-lapisan tersebut.

Keywords
butir kristalin, teknik HWC-VHF-PECVD, c-Si:H

Article Metrics: